Гэсн 9: ГЭСН-2001-09 Сборник N 9. Строительные металлические конструкции, ГЭСН от 26 апреля 2000 года №81-02-09-2001

Содержание

ГЭСН-9. Часть 9. Строительные металлические конструкции.

Перед направлением электронного обращения в Минстрой России, пожалуйста, ознакомьтесь с изложенными ниже правилами работы данного интерактивного сервиса.

1. К рассмотрению принимаются электронные обращения в сфере компетенции Минстроя России, заполненные в соответствии с прилагаемой формой.

2. В электронном обращении может содержаться заявление, жалоба, предложение или запрос.

3. Электронные обращения, направленные через официальный Интернет-портал Минстроя России, поступают на рассмотрение в отдел по работе с обращениями граждан. Министерство обеспечивает объективное, всестороннее и своевременное рассмотрение обращений. Рассмотрение электронных обращений осуществляется бесплатно.

4. В соответствии с Федеральным законом от 02.05.2006 г. N 59-ФЗ «О порядке рассмотрения обращений граждан Российской Федерации» электронные обращения регистрируются в течение трёх дней и направляются в зависимости от содержания в структурные подразделения Министерства. Обращение рассматривается в течение 30 дней со дня регистрации. Электронное обращение, содержащее вопросы, решение которых не входит в компетенцию Минстроя России, направляется в течение семи дней со дня регистрации в соответствующий орган или соответствующему должностному лицу, в компетенцию которых входит решение поставленных в обращении вопросов, с уведомлением об этом гражданина, направившего обращение.

5. Электронное обращение не рассматривается при:
— отсутствии фамилии и имени заявителя;
— указании неполного или недостоверного почтового адреса;
— наличии в тексте нецензурных или оскорбительных выражений;

— наличии в тексте угрозы жизни, здоровью и имуществу должностного лица, а также членов его семьи;
— использовании при наборе текста некириллической раскладки клавиатуры или только заглавных букв;
— отсутствии в тексте знаков препинания, наличии непонятных сокращений;
— наличии в тексте вопроса, на который заявителю уже давался письменный ответ по существу в связи с ранее направленными обращениями.

6. Ответ заявителю обращения направляется по почтовому адресу, указанному при заполнении формы.

7. При рассмотрении обращения не допускается разглашение сведений, содержащихся в обращении, а также сведений, касающихся частной жизни гражданина, без его согласия. Информация о персональных данных заявителей хранится и обрабатывается с соблюдением требований российского законодательства о персональных данных.

8. Обращения, поступившие через сайт, обобщаются и представляются руководству Министерства для информации. На наиболее часто задаваемые вопросы периодически публикуются ответы в разделах «для жителей» и «для специалистов»

ГЭСН-2001. ГЭСН 81-02-09-2001. Государственные сметные…

Шифр ресурса

Наименование элемента затрат

Ед. измер.

09-01-006-04

09-01-006-05

09-01-006-06

1

Затраты труда рабочих-строителей

чел.-ч

23,39

26,31

20,42

1.1

Средний разряд работы

4,3

4,1

4,3

2

Затраты труда машинистов

чел.-ч

3,69

2,89

1,96

3

МАШИНЫ И МЕХАНИЗМЫ

020121

Краны башенные при работе на монтаже технологического оборудования 25 — 75 т

маш.-ч

0,07

020403

Краны козловые при работе на монтаже технологического оборудования 32 т

маш.-ч

0,06

0,37

0,48

021141

Краны на автомобильном ходу при работе на других видах строительства 10 т

маш.

0,12

0,12

0,12

021202

Краны на гусеничном ходу при работе на монтаже технологического оборудования 25 т

маш.-ч

1,34

021204

Краны на гусеничном ходу при работе на монтаже технологического оборудования 50 — 63 т

маш.-ч

0,35

0,26

021205

Краны на гусеничном ходу при работе на монтаже технологического оборудования 100 т

маш.-ч

0,45

021801

Краны стреловые на рельсовом ходу 50 — 100 т

маш.-ч

0,42

2,4

0,84

030203

Домкраты гидравлические грузоподъемностью 63 — 100 т

маш.-ч

0,19

1,18

030405

Лебедки электрические тяговым усилием до 49,05 кН (5 т)

маш.-ч

0,24

040400

Полуавтоматы сварочные с номинальным сварочным током 40 — 500 А

маш.-ч

0,52

040504

Аппарат для газовой сварки и резки

маш.-ч

2,24

2,38

2,38

041000

Преобразователи сварочные с номинальным сварочным током 315 — 500 А

маш.-ч

9,27

7,59

7,57

041400

Электрические печи для сушки сварочных материалов с регулированием температуры в пределах от 80 °C до 500 °C

маш.-ч

0,53

0,45

0,47

050101

Компрессоры передвижные с двигателем внутреннего сгорания давлением до 686 кПа (7 ат), производительность до 5 м3/мин

маш.

0,08

253101

Сболчиватели пневматические (без сжатого воздуха)

маш.-ч

0,04

330301

Машины шлифовальные электрические

маш.-ч

0,9

2,67

2,29

331410

Аппарат пескоструйный при работе от передвижного компрессора

маш.-ч

0,03

400001

Автомобили бортовые, грузоподъемность до 5 т

маш.-ч

0,17

0,17

0,17

4

МАТЕРИАЛЫ

101-0309

Канаты пеньковые пропитанные

т

0,0001

0,0001

0,0001

101-0324

Кислород технический газообразный

м3

1,95

1,95

1,95

101-0797

Проволока горячекатаная в мотках, диаметром 6,3 — 6,5 мм

т

0,00003

0,00003

0,00003

101-1019

Швеллеры N 40 из стали марки Ст0

т

0,00194

0,00194

0,00194

101-1515

Электроды диаметром 4 мм Э46

т

0,006

0,005

0,006

101-1714

Болты с гайками и шайбами строительные

т

П

П

П

101-1805

Гвозди строительные

т

0,00002

0,00002

0,00002

101-1809

Болты высокопрочные

т

П

П

П

101-2278

Пропан-бутан, смесь техническая

кг

0,59

0,59

0,59

101-2467

Растворитель марки Р-4

т

0,0006

0,0006

0,0006

102-0023

Бруски обрезные хвойных пород длиной 4 — 6,5 м, шириной 75 — 150 мм, толщиной 40 — 75 мм, I сорта

м3

0,0011

0,0011

0,0011

113-0021

Грунтовка ГФ-021 красно-коричневая

т

0,00031

0,00031

0,00031

201-0756

Отдельные конструктивные элементы зданий и сооружений с преобладанием горячекатаных профилей, средняя масса сборочной единицы от 0,1 до 0,5 т

т

0,006

0,005

0,001

201-9002

Конструкции стальные

т

1

1

1

508-0097

Канат двойной свивки типа ТК, конструкции 6×19(1+6+12)+1 о.
с., оцинкованный из проволок марки В, маркировочная группа 1770 Н/мм2, диаметром 5,5 мм

10 м

0,0187

0,0187

0,0187

Дополнение ГЭСН вступает в действие с 1 января 2015 года

Дополнение ГЭСН вступает в действие с 1 января 2015 года

23 Декабря 2014

Дополнение ГЭСН вступает в действие с 1 января 2015 года.

(приказы Минстроя России от 12.11.2014 № 703/пр и от 17.10.2014 №634/пр)

 В федеральный реестр сметных нормативов внесены приказы Минстроя России от 12.11.2014 № 703/пр и от 17.10.2014 № 634/пр о внесении изменений и дополнений в государственные сметные нормативы — государственные элементные сметные нормы и федеральные единичные расценки, федеральные сметные цены на материалы, изделия и конструкции, применяемые в строительстве, расценки на эксплуатацию строительных машин и автотранспортных средств, на перевозку грузов для строительства. 

 В соответствии с новым приказом наибольшие изменения затронули сборники по монтажу оборудования, расценки на перевозку грузов для строительства и федеральные сметные цены на материалы, изделия и конструкции, применяемые в строительстве. 

Добавлено около 6000 новых видов строительных материалов, изделий и конструкций, а также около 50 новых типов машин и механизмов. Уточнены цены почти для 4 000 материальных ресурсов. Из базы исключены около 500 материалов и механизмов, являющихся устаревшими и крайне редко применяемыми в современном строительстве. Наибольшие изменения коснулись части 1 «Материалы для общестроительных работ», части 4 «Бетонные, железобетонные и керамические изделия. Нерудные материалы. Товарные бетоны и растворы», части 5 «Материалы, изделия и конструкции для монтажных и специальных строительных работ». 

Дополнения содержат около 1300 новых норм и расценок, откорректировано около 1000 норм и расценок. 

Перечень частей сборников, которые затронули наибольшие изменения и дополнения приведен ниже.  

Государственные сметные нормативы Государственные элементные сметные нормы и Федеральные единичные расценки на строительные и специальные строительные работы: 

  • Часть 1 «Земляные работы». 
  • Часть 5 «Свайные работы. Опускные колодцы. Закрепление грунтов». 
  • Часть 9 «Строительные металлические конструкции». 
  • Часть 10 «Деревянные конструкции». 
  • Часть 13 «Защита строительных конструкций и оборудования от коррозии». 
  • Часть 15 «Отделочные работы». 
  • Часть 27 «Автомобильные дороги». 
  • Часть 29 «Тоннели и метрополитены». 
  • Часть 30 «Мосты и трубы». 
  • Часть 44 «Подводно-строительные (водолазные) работы». 
  • Часть 46 «Работы по реконструкции зданий и сооружений». 


Государственные сметные нормативы Государственные элементные сметные нормы и Федеральные единичные расценки на монтаж оборудования: 

  • Часть 8 «Электротехнические установки». 
  • Часть 10 «Оборудование связи». 
  • Часть 12 «Технологические трубопроводы». 


Существенные изменения внесены в состав Государственных сметных нормативов Государственные элементные сметные нормы (ГЭСН) и Федеральные единичные расценки на строительные и специальные строительные работы (ФЕР) в части 25 «Магистральные и промысловые трубопроводы». 

ГЭСН «Магистральные и промысловые трубопроводы» были дополнены рядом норм и в настоящий момент содержат 1772 нормы. В состав Дополнения вошла первая часть 25-го сборника ФЕР «Магистральные и промысловые трубопроводы». Сборник разделен на 13 разделов, в составе сборника разработаны 811 расценок. Очередные части сборника будут выпускаться по мере их разработки. 

В сборники цен на перевозки грузов автомобильным транспортом добавлены таблицы: 

  • 03-31 «Перевозка бетонных , железобетонных изделий, стеновых и перегородных материалов (плит, панелей) панелевозом на автомобильном ходу грузоподъемностью 25т»; 
  • 03-32 «Перевозка длинномерных грузов трубоплетевозом грузоподъемностью 12т»; 
  • 03-33 «Перевозка бетонных смесей и строительных растворов, готовых к употреблению, автобетоносмесителем 6 м3».  


Согласно приказа 12.11.2014 №703/пр дополненная федеральная сметно-нормативная база вступает в действие с 1 января 2015 года.

Лицензия на доступ к базе ГЭСН, ФЕР-2014 (с изм. 1) предоставляется при наличии действующего договора на право использования базового комплекта нормативно-справочной информации (пункт прайса 4.1).

Скачать базу можно в разделе «Скачать» или по ссылке.

 

 

Право на использование базы данных «ГЭСН-2020, ФЕР-2020» с Изм. 1-4

Право на использование базы данных «ГЭСН-2020, ФЕР-2020» с Изм. 1-4, на одно рабочее место

Нормативы, включённые в базу данных «ГЭСН-2020, ФЕР-2020», утверждены приказами Минстроя Изменение № 1 к базе данных «ГЭСН-2020, ФЕР-2020» введено в соответствии с приказами Минстроя России № 171/пр, 172/пр от 30.03.2020 г.;
Изменение № 2 к базе данных «ГЭСН-2020, ФЕР-2020» введено в соответствии с приказами Минстроя России № 294/пр, 295/пр от 01.06.2020 г.;
Изменение № 3 к базе данных «ГЭСН-2020, ФЕР-2020» введено в соответствии с приказами Минстроя России № 352/пр, 353/пр от 30.06.2020 г. 
Изменение № 4 к базе данных «ГЭСН-2020, ФЕР-2020» введено в соответствии с приказами Минстроя России № 635/пр, 636/пр от 20.10.2020 г.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Государственные элементные сметные нормы (ГЭСН) на строительные и специальные строительные работы. Редакция 2020 г.
ГЭСН-2001 Общие положения. Исчисление объёмов работ
ГЭСН-2001 Часть 1. Земляные работы
ГЭСН-2001 Часть 2. Горно-вскрышные работы
ГЭСН-2001 Часть 3. Буровзрывные работы
ГЭСН-2001 Часть 4. Скважины
ГЭСН-2001 Часть 5. Свайные работы, опускные колодцы, закрепление грунтов
ГЭСН-2001 Часть 6. Бетонные и железобетонные конструкции монолитные
ГЭСН-2001 Часть 7. Бетонные и железобетонные конструкции сборные
ГЭСН-2001 Часть 8. Конструкции из кирпича и блоков
ГЭСН-2001Часть 9. Строительные металлические конструкции
ГЭСН-2001 Часть 10. Деревянные конструкции
ГЭСН-2001 Часть 11. Полы
ГЭСН-2001 Часть 12. Кровли
ГЭСН-2001 Часть 13. Защита строительных конструкций и оборудования от коррозии
ГЭСН-2001 Часть 14. Конструкции в сельском строительстве
ГЭСН-2001 Часть 15. Отделочные работы
ГЭСН-2001 Часть 16. Трубопроводы внутренние
ГЭСН-2001 Часть 17. Водопровод и канализация — внутренние устройства
ГЭСН-2001 Часть 18. Отопление — внутренние устройства
ГЭСН-2001 Часть 19. Газоснабжение — внутренние устройства
ГЭСН-2001 Часть 20. Вентиляция и кондиционирование воздуха
ГЭСН-2001 Часть 21. Временные сборно-разборные здания и сооружения
ГЭСН-2001 Часть 22. Водопровод — наружные сети
ГЭСН-2001 Часть 23. Канализация — наружные сети
ГЭСН-2001 Часть 24. Теплоснабжение и газопроводы — наружные сети
ГЭСН-2001 Часть 25. Магистральные и промысловые трубопроводы
ГЭСН-2001 Часть 26. Теплоизоляционные работы
ГЭСН-2001 Часть 27. Автомобильные дороги
ГЭСН-2001 Часть 28. Железные дороги
ГЭСН-2001 Часть 29. Тоннели и метрополитены
ГЭСН-2001 Часть 30. Мосты и трубы
ГЭСН-2001 Часть 31. Аэродромы
ГЭСН-2001 Часть 32. Трамвайные пути
ГЭСН-2001 Часть 33. Линии электропередачи
ГЭСН-2001 Часть 34. Сооружения связи, радиовещания и телевидения
ГЭСН-2001 Часть 35. Горнопроходческие работы
ГЭСН-2001 Часть 36. Земляные конструкции гидротехнических сооружений
ГЭСН-2001 Часть 37. Бетонные и железобетонные конструкции гидротехнических сооружений
ГЭСН-2001 Часть 38. Каменные конструкции гидротехнических сооружений
ГЭСН-2001 Часть 39. Металлические конструкции гидротехнических сооружений
ГЭСН-2001 Часть 40. Деревянные конструкции гидротехнических сооружений
ГЭСН-2001 Часть 41. Гидроизоляционные работы в гидротехнических сооружениях
ГЭСН-2001 Часть 42. Берегоукрепительные работы
ГЭСН-2001 Часть 43. Судовозные пути стапелей и слипов
ГЭСН-2001 Часть 44. Подводно-строительные (водолазные) работы
ГЭСН-2001 Часть 45. Промышленные печи и трубы
ГЭСН-2001 Часть 46. Работы при реконструкции зданий и сооружений
ГЭСН-2001 Часть 47. Озеленение, защитные лесонасаждения
ГЭСН-2001 Приложения


Государственные элементные сметные нормы (ГЭСНм) на монтаж оборудования. Редакция 2020 г.
ГЭСНм-2001 Общие положения
ГЭСНм-2001 Часть 1. Металлообрабатывающее оборудование
ГЭСНм-2001 Часть 2. Деревообрабатывающее оборудование
ГЭСНм-2001 Часть 3. Подъемно-транспортное оборудование
ГЭСНм-2001 Часть 4. Дробильно-размольное, обогатительное и агломерационное оборудование
ГЭСНм-2001 Часть 5. Весовое оборудование
ГЭСНм-2001 Часть 6. Теплосиловое оборудование
ГЭСНм-2001 Часть 7. Компрессорные установки, насосы и вентиляторы
ГЭСНм-2001 Часть 8. Электротехнические установки
ГЭСНм-2001 Часть 9. Электрические печи
ГЭСНм-2001 Часть 10. Оборудование связи
ГЭСНм-2001 Часть 11. Приборы, средства автоматизации и вычислительной техники
ГЭСНм-2001 Часть 12. Технологические трубопроводы
ГЭСНм-2001 Часть 13. Оборудование атомных электрических станций
ГЭСНм-2001 Часть 14. Оборудование прокатных производств
ГЭСНм-2001 Часть 15. Оборудование для очистки газов
ГЭСНм-2001 Часть 16. Оборудование предприятий черной металлургии
ГЭСНм-2001 Часть 17. Оборудование предприятий цветной металлургии
ГЭСНм-2001 Часть 18. Оборудование предприятий химической и нефтеперерабатывающей промышленности
ГЭСНм-2001 Часть 19. Оборудование предприятий угольной и торфяной промышленности
ГЭСНм-2001 Часть 20. Оборудование сигнализации, централизации, блокировки и контактной сети на железнодорожном транспорте
ГЭСНм-2001 Часть 21. Оборудование метрополитенов и тоннелей
ГЭСНм-2001 Часть 22. Оборудование гидроэлектрических станций и гидротехнических сооружений
ГЭСНм-2001 Часть 23. Оборудование предприятий электротехнической промышленности
ГЭСНм-2001 Часть 24. Оборудование предприятий промышленности строительных материалов
ГЭСНм-2001 Часть 25. Оборудование предприятий целлюлозно-бумажной промышленности
ГЭСНм-2001 Часть 26. Оборудование предприятий текстильной промышленности
ГЭСНм-2001 Часть 27. Оборудование предприятий полиграфической промышленности
ГЭСНм-2001 Часть 28. Оборудование предприятий пищевой промышленности
ГЭСНм-2001 Часть 29. Оборудование театрально-зрелищных предприятий
ГЭСНм-2001 Часть 30. Оборудование зернохранилищ и предприятий по переработке зерна
ГЭСНм-2001 Часть 31. Оборудование предприятий кинематографии
ГЭСНм-2001 Часть 32. Оборудование предприятий электронной промышленности и промышленности средств связи
ГЭСНм-2001 Часть 33. Оборудование предприятий легкой промышленности
ГЭСНм-2001 Часть 34. Оборудование учреждений здравоохранения и предприятий медицинской промышленности
ГЭСНм-2001 Часть 35. Оборудование сельскохозяйственных производств
ГЭСНм-2001 Часть 36. Оборудование предприятий бытового обслуживания и коммунального хозяйства
ГЭСНм-2001 Часть 37. Оборудование общего назначения
ГЭСНм-2001 Часть 38. Изготовление технологических металлических конструкций в условиях производственных баз
ГЭСНм-2001 Часть 39. Контроль монтажных сварных соединений
ГЭСНм-2001 Часть 40. Дополнительное перемещение оборудования и материальных ресурсов сверх предусмотренного в государственных элементных сметных нормах на монтаж оборудования
ГЭСНм-2001 Приложения


Государственные элементные сметные нормы (ГЭСНмр) на капитальный ремонт оборудования. Редакция 2020 г.
ГЭСНмр-2001 Общие положения. Приложения
ГЭСНмр-2001 Часть 1. Капитальный ремонт и модернизация оборудования лифтов
ГЭСНмр-2001 Часть 2. Ревизия трубопроводной арматуры


Государственные элементные сметные нормы (ГЭСНп) на пусконаладочные работы. Редакция 2014 г.
ГЭСНп-2001 Общие положения. Исчисление объёмов работ
ГЭСНп-2001 Часть 1. Электротехнические устройства
ГЭСНп-2001 Часть 2. Автоматизированные системы управления
ГЭСНп-2001 Часть 3. Системы вентиляции и кондиционирования
ГЭСНп-2001 Часть 4. Подъемно-транспортное оборудование
ГЭСНп-2001 Часть 5. Металлообрабатывающее оборудование
ГЭСНп-2001 Часть 6. Холодильные и компрессорные установки
ГЭСНп-2001 Часть 7. Теплоэнергетическое оборудование
ГЭСНп-2001 Часть 8. Деревообрабатывающее оборудование
ГЭСНп-2001 Часть 9. Сооружения водоснабжения и канализации
ГЭСНп-2001 Часть 16. Устройства автоматики и телемеханики на железнодорожном транспорте
ГЭСНп-2001 Приложения


Государственные элементные сметные нормы (ГЭСНр) на ремонтно-строительные работы. Редакция 2020 г.
ГЭСНр-2001

 

Федеральные единичные расценки (ФЕР) на строительные и специальные строительные работы. Редакция 2020 г.                               

ФЕР-2001 Общие положения. Исчисление объёмов работ                

ФЕР-2001 Часть 1. Земляные работы                

ФЕР-2001 Часть 2. Горно-вскрышные работы                

ФЕР-2001 Часть 3. Буровзрывные работы                

ФЕР-2001 Часть 4. Скважины                

ФЕР-2001 Часть 5. Свайные работы, опускные колодцы, закрепление грунтов                

ФЕР-2001 Часть 6. Бетонные и железобетонные конструкции монолитные                

ФЕР-2001 Часть 7. Бетонные и железобетонные конструкции сборные                

ФЕР-2001 Часть 8. Конструкции из кирпича и блоков                

ФЕР-2001 Часть 9. Строительные металлические конструкции                

ФЕР-2001 Часть 10. Деревянные конструкции                

ФЕР-2001 Часть 11. Полы                

ФЕР-2001 Часть 12. Кровли                

ФЕР-2001 Часть 13. Защита строительных конструкций и оборудования от коррозии                

ФЕР-2001 Часть 14. Конструкции в сельском строительстве                

ФЕР-2001 Часть 15. Отделочные работы                

ФЕР-2001 Часть 16. Трубопроводы внутренние                

ФЕР-2001 Часть 17. Водопровод и канализация — внутренние устройства                

ФЕР-2001 Часть 18. Отопление — внутренние устройства                

ФЕР-2001 Часть 19. Газоснабжение — внутренние устройства                

ФЕР-2001 Часть 20. Вентиляция и кондиционирование воздуха                

ФЕР-2001 Часть 21. Временные сборно-разборные здания и сооружения                

ФЕР-2001 Часть 22. Водопровод — наружные сети                

ФЕР-2001 Часть 23. Канализация — наружные сети                

ФЕР-2001 Часть 24. Теплоснабжение и газопроводы — наружные сети                

ФЕР-2001 Часть 26. Теплоизоляционные работы                

ФЕР-2001 Часть 27. Автомобильные дороги                

ФЕР-2001 Часть 28. Железные дороги                

ФЕР-2001 Часть 29. Тоннели и метрополитены                

ФЕР-2001 Часть 30. Мосты и трубы                

ФЕР-2001 Часть 31. Аэродромы                

ФЕР-2001 Часть 32. Трамвайные пути                

ФЕР-2001 Часть 33. Линии электропередачи                

ФЕР-2001 Часть 34. Сооружения связи, радиовещания и телевидения                

ФЕР-2001 часть 35. Горнопроходческие работы                

ФЕР-2001 Часть 36. Земляные конструкции гидротехнических сооружений                

ФЕР-2001 Часть 37. Бетонные и железобетонные конструкции гидротехнических сооружений                

ФЕР-2001 Часть 38. Каменные конструкции гидротехнических сооружений                

ФЕР-2001 Часть 39. Металлические конструкции гидротехнических сооружений                

ФЕР-2001 Часть 40. Деревянные конструкции гидротехнических сооружений                

ФЕР-2001 Часть 41. Гидроизоляционные работы в гидротехнических сооружениях                

ФЕР-2001 Часть 42. Берегоукрепительные работы                

ФЕР-2001 Часть 43. Судовозные пути стапелей и слипов                

ФЕР-2001 Часть 44. Подводно-строительные (водолазные) работы                

ФЕР-2001 Часть 45. Промышленные печи и трубы                

ФЕР-2001 Часть 46. Работы при реконструкции зданий и сооружений                

ФЕР-2001 Часть 47. Озеленение, защитные лесонасаждения                

ФЕР-2001 Приложения. Книга 1                

ФЕР-2001 Приложения. Книга 2

Федеральные единичные расценки (ФЕРм) на монтаж оборудования. Редакция 2020 г.                   

ФЕРм-2001 Общие положения                

ФЕРм-2001 Часть 1. Металлообрабатывающее оборудование                

ФЕРм-2001 Часть 2. Деревообрабатывающее оборудование                

ФЕРм-2001 Часть 3. Подъемно-транспортное оборудование                

ФЕРм-2001 Часть 4. Дробильно-размольное, обогатительное и агломерационное оборудование                

ФЕРм-2001 Часть 5. Весовое оборудование                

ФЕРм-2001 Часть 6. Теплосиловое оборудование                

ФЕРм-2001 Часть 7. Компрессорные установки, насосы и вентиляторы                

ФЕРм-2001 Часть 8. Электротехнические установки                

ФЕРм-2001 Часть 9. Электрические печи                

ФЕРм-2001 Часть 10. Оборудование связи                

ФЕРм-2001 Часть 11. Приборы, средства автоматизации и вычислительной техники                

ФЕРм-2001 Часть 12. Технологические трубопроводы                

ФЕРм-2001 Часть 13. Оборудование атомных электрических станций                

ФЕРм-2001 Часть 14. Оборудование прокатных производств                

ФЕРм-2001 Часть 15. Оборудование для очистки газов                

ФЕРм-2001 Часть 16. Оборудование предприятий черной металлургии                

ФЕРм-2001 Часть 17. Оборудование предприятий цветной металлургии                

ФЕРм-2001 Часть 18. Оборудование предприятий химической и нефтеперерабатывающей промышленности              

ФЕРм-2001 Часть 19. Оборудование предприятий угольной и торфяной промышленности                

ФЕРм-2001 Часть 20. Оборудование сигнализации, централизации, блокировки и контактной сети на железнодорожном транспорте                

ФЕРм-2001 Часть 21. Оборудование метрополитенов и тоннелей                

ФЕРм-2001 Часть 22. Оборудование гидроэлектрических станций и гидротехнических сооружений    

ФЕРм-2001 Часть 23. Оборудование предприятий электротехнической промышленности                

ФЕРм-2001 Часть 24. Оборудование предприятий промышленности строительных материалов                

ФЕРм-2001 Часть 25. Оборудование предприятий целлюлозно-бумажной промышленности                

ФЕРм-2001 Часть 26. Оборудование предприятий текстильной промышленности                

ФЕРм-2001 Часть 27. Оборудование предприятий полиграфической промышленности                

ФЕРм-2001 Часть 28. Оборудование предприятий пищевой промышленности                

ФЕРм-2001 Часть 29. Оборудование театрально-зрелищных предприятий                

ФЕРм-2001 Часть 30. Оборудование зернохранилищ и предприятий по переработке зерна                

ФЕРм-2001 Часть 31. Оборудование предприятий кинематографии                

ФЕРм-2001 Часть 32. Оборудование предприятий электронной промышленности и промышленности средств связи 

ФЕРм-2001 Часть 33. Оборудование предприятий легкой промышленности                

ФЕРм-2001 Часть 34. Оборудование учреждений здравоохранения и предприятий медицинской промышленности     

ФЕРм-2001 Часть 35. Оборудование сельскохозяйственных производств                

ФЕРм-2001 Часть 36. Оборудование предприятий бытового обслуживания и коммунального хозяйства            

ФЕРм-2001 Часть 37. Оборудование общего назначения                

ФЕРм-2001 Часть 38. Изготовление технологических металлических конструкций в условиях производственных баз  

ФЕРм-2001 Часть 39. Контроль монтажных сварных соединений                

ФЕРм-2001 Часть 40. Дополнительное перемещение оборудования и материальных ресурсов сверх предусмотренного в сборниках федеральных единичных расценок на монтаж оборудования                

ФЕРм-2001 Приложения

Федеральные единичные расценки (ФЕРмр) на капитальный ремонт оборудования. Редакция 2020 г.     

ФЕРмр-2001 Общие положения. Приложения                

ФЕРмр-2001 Часть 1. Капитальный ремонт и модернизация оборудования лифтов                

ФЕРмр-2001 Часть 2. Ревизия трубопроводной арматуры

Федеральные единичные расценки (ФЕРп) на пусконаладочные работы. Редакция 2020 г.  

ФЕРп-2001 Общие положения                

ФЕРп-2001 Часть 1. Электротехнические устройства                

ФЕРп-2001 Часть 2. Автоматизированные системы управления                

ФЕРп-2001 Часть 3. Системы вентиляции и кондиционирования                

ФЕРп-2001 Часть 4. Подъемно-транспортное оборудование                

ФЕРп-2001 Часть 5. Металлообрабатывающее оборудование                

ФЕРп-2001 Часть 6. Холодильные и компрессорные установки                

ФЕРп-2001 Часть 7. Теплоэнергетическое оборудование                

ФЕРп-2001 Часть 8. Деревообрабатывающее оборудование                

ФЕРп-2001 Часть 9. Сооружения водоснабжения и канализации                

ФЕРп-2001 Часть 16. Устройства автоматики и телемеханики на железнодорожном транспорте                

ФЕРп-2001 Приложения

Федеральные единичные расценки (ФЕРр) на ремонтно-строительные работы. Редакция 2020 г.              

ФЕРр-2001 Федеральные сметные расценки (ФСЭМ) на эксплуатацию строительных машин и автотранспортных средств. Редакция 2020 г.                            

Федеральные сметные расценки на эксплуатацию строительных машин и автотранспортных средств

Таблица 9-03-040 Монтаж защитных ограждений оборудования «ГОСУДАРСТВЕННЫЕ ЭЛЕМЕНТНЫЕ СМЕТНЫЕ НОРМЫ НА СТРОИТЕЛЬНЫЕ РАБОТЫ. СБОРНИК N 9. СТРОИТЕЛЬНЫЕ МЕТАЛЛИЧЕСКИЕ КОНСТРУКЦИИ. ГЭСН-2001-09» (утв. Госстроем РФ 01.01.2002)

действует Редакция от 01.01.1970 Подробная информация
Наименование документ«ГОСУДАРСТВЕННЫЕ ЭЛЕМЕНТНЫЕ СМЕТНЫЕ НОРМЫ НА СТРОИТЕЛЬНЫЕ РАБОТЫ. СБОРНИК N 9. СТРОИТЕЛЬНЫЕ МЕТАЛЛИЧЕСКИЕ КОНСТРУКЦИИ. ГЭСН-2001-09» (утв. Госстроем РФ 01.01.2002)
Вид документанормы
Принявший органгосстрой рф
Номер документаГЭСН-2001-09
Дата принятия01.01.1970
Дата редакции01.01.1970
Дата регистрации в Минюсте01.01.1970
Статусдействует
Публикация
  • На момент включения в базу документ опубликован не был
НавигаторПримечания

Таблица 9-03-040 Монтаж защитных ограждений оборудования

Состав работ:

01. Установка и крепление защитных ограждений оборудования.

02. Устройство подмостей.

03. Антикоррозийная защита стальных конструкций.

Измеритель: 1 т конструкций

09-03-040-1 Монтаж защитных ограждений оборудования
Шифр ресурсаНаименование элементов затратЕд. измер.09-03-040-1
1Затраты труда рабочих-строителейчел.94,29
1.1Средний разряд работы 3,3
2Затраты труда машинистовчел.-ч0,31
3 МАШИНЫ И МЕХАНИЗМЫ
030404Лебедки электрические, тяговым усилием до 31,39 (3,2) кН (т)маш.-ч4,42
330206Дрели электрическиемаш.-ч2,15
400001Автомобили бортовые грузоподъемностью до 5 тмаш.-ч0,19
021141Краны на автомобильном ходу при работе на других видах строительства (кроме магистральных трубопроводов) 10 тмаш.-ч0,12
4 МАТЕРИАЛЫ
201-9002Конструкции стальныет1
101-1714Болты строительные с гайками и шайбамит0,016
102-0023Пиломатериалы хвойных пород. Бруски обрезные длиной 4-6,5 м, шириной 75-150 мм, толщиной 40-75 мм I сортам30,00103
4. 0МАТЕРИАЛЫ (тех. часть табл. 4) *

Дополнение 5 к ФСНБ 2020 «ГЭСН-2020, ФЕР-2020»

Как и обещали нам перед Новым годом представители Минстроя, выпущено большое дополнение 5 к базе 2020. И на этом Главгосэкспертиза Росссии совместно с Минстроем не останавливаются — дополнение № 6 запланировано уже в марте 2021 года! Поэтому подписка на обновления базы ФСНБ-2020 в сметной программе будет как нельзя кстати и окупится сторицей.

Подробный разбор изменений и дополнений 1-5 к базе ФСНБ-2020 — смотрите перечень изменений и дополнений к базе 2020 с 1 по 5

Протокол сравнения доп.5 с базой ФСНБ-2020 доп.1-4 — по ссылке. В дополнении — около 850 новых расценок, 340 измененных. 

Смотрите презентацию «Главгосэкспертизы» о важных изменениях и дополнениях № 5 к базе ФСНБ-2020.

Обзор ключевых изменений в новой ФСНБ-2020, обзор сметных нормативов, вновь введенных в ФСНБ-2020 доп. 5

1304 новых и актуализированных сметных норм, из них 870 новых, в том числе 51 — разработаны ГГЭ, а также 145 позиций сметных цен строительных ресурсов.

Вопрос: сколько из всего этого утверждённого обилия цифр реально полезно и для простых сметчиков?

Ведется дальнейшая работа по гармонизации федеральной СНБ с отраслевыми нормативами и Московской базой.

№1

Устройство трубонабивных железобетонных свай методом задавливания. Вдавливание свай – это погружение железобетонных конструкций в грунт посредством прикладывания к ним вертикальных статических нагрузок.

Основными преимуществами данной технологии являются:

  • отсутствие динамических воздействий на грунт и здание;

  • устройство свай без выемки грунта;

  • контроль усилия нагружения каждой сваи;

  • экологически чистый, бесшумный метод;

  • возможность включения свай в работу непосредственно после — производства работ.

Задавливание свай – это единственный способ установки свай в случаях, не допускающих больших динамических, шумовых и вибрационных воздействий: рядом с ветхими и аварийными постройками, в условиях плотной застройки, в зонах с возможными оползнями, в строительстве подземных дорог и паркингов.

№2

В рамках гармонизации с базой ТСН были добавлены расценки на штукатурку фасадов терразитовым раствором, трудозатраты по ним несколько выше, чем для работ с цементно-известковой штукатуркой.

Среди главных плюсов терразитового покрытия – стойкость его к воздействиям внешней среды и атмосферным явлениям, универсальность использования, длительный срок службы.

Благодаря особой технологии выполнения терразитовой штукатурки такое покрытие служит не менее 10 лет.

№3

Огнезащитное покрытие металлоконструкций составом на основе минераловатных волокон методом сухого торкретирования.

Эти нормы уже присутствовали в базе, но были полностью переработаны. Добавлены работы по грунтованию поверхности, это необходимо для повышения сцепления огнезащитного покрытия с поверхностями металлических конструкций.

Нормы разработаны для пяти групп огнезащитной эффективности, которые определяются временем – от начала воздействия высокой температуры до достижения поверхностью конструкции температуры 500ºС: для первой группы эффективности интервал составляет 150 минут, для второй – 120, для третьей – 90, для четвертой – 60, для пятой – 45.

№4

Устройство монолитных железобетонных конструкций подземной части объединенных насосных станций объектов использования атомной энергии — достаточно специфические нормы, расценки на подобные работы интересны тем, что в них описана технология бетонирования сложных криволинейных конструкций, с использованием специальной опалубки и подачей бетона автобетононасосами на достаточно большой отметке ниже нуля.

№5

Устройство подпорных стенок.

Коробчатая конструкция подпорных стен зарекомендовала себя как антисейсмическая и широко используется в Японии. Прочность конструкции достигается равномерным распределением сопротивления по всей поверхности стыка стены с грунтом, когда каждый блок имеет собственный центр тяжести. Скольжение также практически исключено, так как сопротивление ему оказывают нижние горизонтальные плоскости всех блоков. Подпорные коробчатые стены кроме прямой своей функции закрепления грунта, обладают дренирующими свойствами — при грамотном монтаже блоки для подпорных стен выдерживают ливни любой интенсивности. Совокупность этих характеристик, позволили применить технологию подпорной стены из конструктивных блоков при строительстве жилых микрорайонов во Владивостоке. Надеемся, что данные нормы будут востребованы при выполнении строительных работ и в других регионах.

№6

Топливораздаточная колонка всасывающего типа с системой возврата паров – очень нужные нормы.

Создание современной, комфортной и надежной транспортной инфраструктуры — одна из главных задач, поставленных перед дорожниками главой государства. Основным инструментом достижения стратегической цели стал национальный проект «Безопасные и качественные автомобильные дороги», стартовавший в 2019 году и ставший логичным продолжением совместной работы федеральных и региональных ведомств дорожного хозяйства. Строительство дорог ведется по всей территории РФ, вместе с дорогами строится и дорожная инфраструктура, неотъемлемой частью которой являются автозаправки.

№7

Установка вентиляторов радиальных с клиноременным приводом – добавлены расценки, т.к. обычные радиальные вентиляторы в базе были, а с приводом отсутствовали. Вентиляторы такого типа используются не только в обычных системах вытяжной вентиляции, но и для удаления газов возникающих при пожаре и одновременному отводу тепла за пределы обслуживаемого помещения или здания с целью проведения работ по борьбе с пожаром и спасению людей.

№8

Измерение концентраций вредных веществ в воздухе – цель такого мониторинга состоит в том, чтобы оценить риски от опасных веществ в воздухе на рабочем месте, т.к. изменение состава и свойств воздуха может вызвать заболевания или отклонения в состоянии здоровья человека. В связи с этим необходимо контролировать состав и степень запыленности воздуха в производственных помещениях.

Можно отметить, что наконец-то появляются нормы и на пуско-наладочные работы.

№9

Ремонт покрытий из линолеума.

Линолеум в наши дни считается самым популярным напольным покрытием, встречающимся повсеместно – в офисах, образовательных и медицинских учреждениях, в зданиях общественного назначения, а также в квартирах и жилых домах. Секрет такой популярности прост – современный линолеум имеет хорошее соотношение цены и качества, обладает высокими прочностными показателями и хорошими тепло- и звукоизоляционными свойствами. Особенно часто такое покрытие для полов используется в регионах в муниципальных зданиях, школах, детских садах. Но там где нагрузка на пол значительна, происходит повреждение покрытия, в таких случаях целесообразно вместо его полной замены, производить частичный ремонт.

№10

Устройство мелких покрытий и отделок из листовой стали – блок норм для устройства кровельных мелких изделий.

Грамотно оборудованная крыша дома — важный узел, обеспечивающий защиту строения от действия ветров, выпадающих осадков или солнечных лучей. Основная нагрузка ложится на кровлю, как на внешнюю плоскость, имеющую непосредственный контакт со всеми погодными или климатическими проявлениями.

Любые недочеты в оформлении кровли означают возможность попадания внутрь воды, образования очагов разрушения стропильной системы или опасность сноса кровли при порывах ветра.

Поэтому правильное использование всех элементов кровельного покрытия, которые образуют герметичный слой, надежно отделяющий внутреннее пространство от контакта с атмосферой, является важной и ответственной частью оформления крыши. Парапеты из оцинкованной стали используются для увеличения срока службы вертикальных защитных и ограждающих конструкций. Пояски, сандрики, подоконные сливы и другие выступающие части здания так же отделываются кровельной сталью – она сохраняет их от вреда атмосферных осадков.

№11

Устройство круглых цельнолитых и собранных в заводских условиях колодцев из полимерных материалов – нормами предусмотрено использование цельных уже собранных колодцев.

Пластиковые колодцы набирают все большую популярность и быстрыми темпами вытесняют своих собратьев из железобетона. Одним из главных аргументов для этого является простота работы с пластиковыми изделиями, их надежность, долговечность и легкость в эксплуатации и обслуживании. Одним из немаловажных преимуществ является простота монтажных работ и сокращение сроков их выполнения.

№12

Огрунтовка и окраска мостовых металлических конструкций лакокрасочными материалами.

Таким необходимым и непрерывно эксплуатируемым конструкциям как мосты должно уделяться повышенное внимание. Ведь при постоянных значительных нагрузках, воздействии влаги, перепадах температур они просто обязаны выполнять свои функции, не подвергая риску пешеходов и транспорт, оставаясь максимально полезными и безопасными. Для защиты от атмосферного воздействия и коррозии все металлические части пролетных строений и опор, кроме катков, плоскостей катания и скольжения опорных частей, подлежат окрашиванию.

Нормы по грунтовке и окраске дифференцированы, т.к. при окраске стыков учтена малообъемность работ и большее количество трудозатрат, чем при окраске основных конструкций.

При разработке данных норм специалисты работали в том числе и на строительстве Крымского моста.

№13

Монтаж сборных ливневых очистных сооружений модульного типа из полимерных композиционных материалов.

Практически каждая современная ливневая канализация на дорогах, мостах, развязках, улицах, АЗС, паркингах, торговых, офисных, складских комплексах, промышленных предприятиях состоит из таких основных элементов, как дождеприемники, лотки, трубопроводные коммуникации и очистные сооружения. Все эти компоненты в комплексе позволяют собирать, очищать дождевые, поливомоечные и талые воды, осуществлять их своевременный отвод.

Системы очистки ливневых сточных вод позволяют обработать сточную воду до норм сброса и предотвратить загрязнение окружающей среды различными примесями природного и техногенного происхождения.

Системы очистки поверхностных стоков модульного типа из полимерных композиционных материалов поставляются в максимальной заводской готовности, поэтому установка систем на объекте строительства занимает от 2 дней до 1 недели.

Таких норм ранее не было в нормативной базе, поэтому приходилось использовать расценки применительно из 22-го сборника.

№14

Монтаж ограничителей перенапряжения нелинейных на линиях электропередачи – устраиваются на опорах, нормы разделены на с использованием гидроподъемника и без его использования. Широкое применение нелинейных ограничителей распространено в линиях электропередач, где они выступают в роли молниезащиты, а сами провода являются молниеприемниками. В промышленных целях ограничители перенапряжения используются для защиты различных электрических аппаратов и персонала, к примеру, на тяговых и трансформаторных подстанциях, распределительных устройствах и т.д.

Обратите внимание, что также вышла новая «Методика определения стоимости строительства» (взамен МДС 35) и новая Методика по определению величины сметной прибыли (СП) взамен МДС 25.  

Изменения в сметные нормы (ГЭСН) ( приказ Минстроя России от 9 февраля 2021 года № 50/пр):

Изменения в федеральные единичные расценки и отдельные составляющие к ним (ФЕР) ( приказ Минстроя России от 9 февраля 2021 года № 51/пр):

Дополнение № 5 к ГСН 2020 вступает в силу с 31.03.2021! И на эту дату мы будем иметь помимо самой базы 2020 еще 4 дополнения: №1, дополнение 2 , доп.3 и доп.4.

В связи с изменением Методических документов (421 и 774 Методик Минстроя), вводом в действие новых дополнений к базе 2020, планируемым изменениям к Методике 421, рекомендуем обновить сметную программу и приобрести подписку на обновление базы ФСНБ-2020. Цены на базу 2020 — здесь.

Внимание! Материал дополняется по мере получения дополнительной информации и анализа.

По заявлениям Минстроя РФ в ближайшее время готовятся к выходу новые Методики: 

  • определения величины накладных расходов в строительстве, 
  • определения сметных цен на эксплуатацию машин и механизмов, 
  • определения дополнительных затрат при производстве работ в зимнее время
  • определения стоимости работ по подготовке проектной документации.
  • разработки сметных норм на монтаж капитальный ремонт оборудования и пусконаладочные работы.
  • определения сметных цен на затраты труда в строительстве
  • определения сметных цен на материалы, изделия, конструкции, оборудование и цен услуг, связанных с транспортировкой грузов для строительства
  • определения стоимости работ по инженерным изысканиям
  • применения сметных норм
  • разработки сметных норм на строительные работы, ремонтно строительные работы, работы по сохранению объектов культурного наследия (памятников истории и культуры) народов РФ
  • определения сметной стоимости строительства с использованием федеральных единичных расценок

Ваш отзыв, комментарий и отклик могут сильно помочь коллегам! Отправляйте его нам на почту [email protected] ru

Заказать все дополнения к базе 2020 для своей сметной программы!

ФЕР, ГЭСН 2020 Дополнение 4 доступны в ПК Госстройсмета

18 ноября 2020

ФЕР, ГЭСН 2020 Дополнение 4 доступны в ПК Госстройсмета

В продажу поступила новая сметно-нормативная база ФСНБ-2001 редакции 2020г. Дополнение 4, утвержденная приказом Минстроя России от 20 октября 2020 г. № 636/пр

  • При наличии подписки на изменения и дополнения к ФСНБ-2001 (редакция 2020 г.) действующей с 11.2020 Вы получите данное дополнение бесплатно.
  • При наличии ФСНБ-2001 (редакция 2020 г.) поставка позиции «Обновления ФСНБ-2001 (редакция 2020 г Дополнение 4) до версии утверждённой приказом № 636/пр и № 635/пр от 20 октября 2020» осуществляется по цене 4 500р.
  • Во всех остальных случаях поставка позиции «База данных «ФСНБ-2001 (редакция 2020 г. )», содержащая государственные сметные нормативы, утвержденные приказом Минстроя России от 20 октября 2020 г. № 636/пр и № 635/пр осуществляется по цене 9 000р.

Минстрой РФ опубликовал 2 приказа об утверждении ГЭСН и ФЕР 2020 доп. 4:

ГЭСН-2001 (редакция 2020 г.) дополнение 4 (приказ Минстроя России № 635/пр от 20 октября 2020)

ФСНБ-2001 (редакция 2020 г.) дополнение 4 (приказ Минстроя России № 636/пр от 20 октября 2020)

Федеральные единичные расценки разработаны в базисном уровне цен по состоянию на 1 января 2000 года (т.е. остается в уровне цен на 01. 01.2000 г.)

*Вводится с 01 января 2021 года.

База

Цены

База данных ФЕH, ГЭСН 2020 Дополнение 4

Новое приобретение

Обновление ФЕР, ГЭСН 2020

Подписка на годовое Обновление ФЕР, ГЭСН

Генерация в прямозонном сплаве GeSn, выращенном на Si

  • 1

    Айер, С. и Се, Й. Х. Излучение света кремнием. Science 260 , 40–46 (1993).

    ADS Статья Google ученый

  • 2

    Rong, H. et al. Полностью кремниевый рамановский лазер. Природа 433 , 292–294 (2005).

    ADS Статья Google ученый

  • 3

    Фанг, А.W. et al. Гибридный AlGaInAs – кремниевый затухающий лазер с электрической накачкой. Опт. Экспресс 14 , 9203–9210 (2006).

    ADS Статья Google ученый

  • 4

    Джастис Дж. И др. Интеграция лазеров III – V групп на кремнии в масштабе пластины с использованием трансферной печати эпитаксиальных слоев. Nature Photon. 6 , 612–616 (2012).

    ADS Статья Google ученый

  • 5

    Ян Х. и другие. Накладные наномембранные лазеры на кремнии с трансферной печатью. Nature Photon. 6 , 617–622 (2012).

    ADS Google ученый

  • 6

    Лю, Х. и др. Длинноволновый лазерный диод с квантовыми точками InAs / GaAs, монолитно выращенный на подложке Ge. Nature Photon. 5 , 416–419 (2011).

    ADS Статья Google ученый

  • 7

    Чен Р.и другие. Нанолазеры, выращенные на кремнии. Nature Photon. 5 , 170–175 (2011).

    ADS Статья Google ученый

  • 8

    Chen, R. et al. Демонстрация резонатора с квантовыми ямами Ge / GeSn / Ge на кремнии: создание высококачественных материалов Ge (Sn) для микро- и нанофотоники. Nano Lett. 14 , 37–43 (2014).

    ADS Статья Google ученый

  • 9

    Санчес-Перес, Дж.R. et al. Прямозонный светоизлучающий германий в растянутых наномембранах. Proc. Natl Acad. Sci. США 108 , 18893–18898 (2011).

    ADS Статья Google ученый

  • 10

    Süess, M. J. et al. Анализ усиленного светового излучения сильно деформированных германиевых микромостиков. Nature Photon. 7 , 466–472 (2013).

    ADS Статья Google ученый

  • 11

    Самуэль, И.Д. У., Намдас, Э. Б., Тернбулл, Г. А. Как распознать генерацию. Nature Photon. 3 , 546–549 (2009).

    ADS Статья Google ученый

  • 12

    Ся Ф., Секарич Л. и Власов Ю. Сверхкомпактные оптические буферы на кремниевом кристалле. Nature Photon. 1 , 65–71 (2007).

    ADS Статья Google ученый

  • 13

    Ассефа, С. , Ся, Ф. и Власов, Ю. А. Новое изобретение германиевого лавинного фотодетектора для нанофотонных встроенных оптических соединений. Природа 464 , 80–84 (2010).

    ADS Статья Google ученый

  • 14

    Xu, Q., Schmidt, B., Pradhan, S. & Lipson, M. Кремниевый электрооптический модулятор микрометрового размера. Природа 435 , 325–327 (2005).

    ADS Статья Google ученый

  • 15

    Сореф Р.Фотоника среднего инфракрасного диапазона в кремнии и германии. Nature Photon. 4 , 495–497 (2010).

    ADS Статья Google ученый

  • 16

    Roelkens, G. et al. Фотонная интеграция на основе кремния за пределами телекоммуникационного диапазона длин волн. IEEE J. Sel. Вершина. Квантовая электроника. 20 , 394–404 (2014).

    ADS Статья Google ученый

  • 17

    Дуань, Г.-ЧАС. и другие. Гибрид III – V на кремниевых лазерах для фотонных интегральных схем на кремнии. IEEE J. Sel. Вершина. Квантовая электроника. 20 , 158–170 (2014).

    ADS Статья Google ученый

  • 18

    Хек, М. Дж. Р. и Бауэрс, Дж. Э. Энергоэффективные и энергопропорциональные оптические межсоединения для многоядерных процессоров: необходимость использования источников на кристалле. IEEE J. Sel. Вершина. Квантовая электроника. 20 , 1–12 (2014).

    Артикул Google ученый

  • 19

    Liu, J. et al. Деформированный при растяжении Ge n-типа в качестве усиливающей среды для монолитной лазерной интеграции на Si. Опт. Экспресс 15 , 11272–11277 (2007).

    ADS Статья Google ученый

  • 20

    Лю Дж. , Сан X., Камачо-Агилера Р., Кимерлинг Л. К. и Мишель Дж. Ge-on-Si лазер, работающий при комнатной температуре. Опт. Lett. 35 , 679–681 (2010).

    ADS Статья Google ученый

  • 21

    Камачо-Агилера, Р. Э. и др. Германиевый лазер с электрической накачкой. Опт. Экспресс 20 , 11316–11320 (2012).

    ADS Статья Google ученый

  • 22

    Carroll, L. et al. Прямозонное усиление и оптическое поглощение в германии коррелировали с плотностью фотовозбужденных носителей, легированием и деформацией. Phys. Rev. Lett. 109 , 057402 (2012).

    ADS Статья Google ученый

  • 23

    De Kersauson, M. et al. Оптическое усиление в одиночной фотонной проволоке из германия, деформированного растяжением. Опт. Экспресс 19 , 17925–17934 (2011).

    ADS Статья Google ученый

  • 24

    Сухдео, Д. С., Нам, Д., Кан, Ж.-Х., Бронгерсма, М.Л. и Сарасват, К. С. Прямая запрещенная зона германия на кремнии, полученная из одноосной деформации растяжения 5,7% 〈100〉. Фотон. Res. 2 , А8 (2014).

    Артикул Google ученый

  • 25

    Дженкинс Д. и Доу Дж. Электронные свойства метастабильных сплавов Ge x Sn1– x . Phys. Ред. B 36 , 7994–8000 (1987).

    ADS Статья Google ученый

  • 26

    Лу Лоу, К., Янг, Ю., Хан, Г., Фан, В. и Йео, Ю. Электронная зонная структура и параметры эффективной массы сплавов Ge1– x Sn x . J. Appl. Phys. 112 , 103715 (2012).

    ADS Статья Google ученый

  • 27

    Гупта С., Мадьяри-Копе Б., Ниши Ю. и Сарасват К. С. Достижение прямой запрещенной зоны в германии за счет интеграции легирования Sn и внешней деформации. J. Appl. Phys. 113 , 073707 (2013).

    ADS Статья Google ученый

  • 28

    He, G. & Atwater, H.A. Межзонные переходы в сплавах Sn x Ge1– x . Phys. Rev. Lett. 79 , 1937–1940 (1997).

    ADS Статья Google ученый

  • 29

    Grzybowski, G. et al. Следующее поколение Ge1– y Sn y ( y = 0.01–0.09) сплавы, выращенные на Si (100) через Ge3H8 и SnD4: кинетика реакции и перестраиваемая эмиссия. заявл. Phys. Lett. 101 , 072105 (2012).

    ADS Статья Google ученый

  • 30

    Chen, R. et al. Повышенная фотолюминесценция пониженных деформаций сплавов с высоким содержанием Sn состава Ge1– x Sn x , выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии. заявл. Phys. Lett. 99 , 181125 (2011).

    ADS Статья Google ученый

  • 31

    Wirths, S. et al. Напряженно деформированные сплавы GeSn как оптические усиливающие среды. заявл. Phys. Lett. 103 , 192110 (2013).

    ADS Статья Google ученый

  • 32

    Wirths, S. et al. Ленточная инженерия и рост напряженно-деформированных гетероструктур Ge / (Si) GeSn для туннельных полевых транзисторов. заявл. Phys. Lett. 102 , 192103 (2013).

    ADS Статья Google ученый

  • 33

    Gencarelli, F. et al. Кристаллические свойства и механизм релаксации деформации GeSn, выращенного методом химического осаждения из паровой фазы. ECS J. Solid State Sci. Technol. 2 , P134 – P137 (2013).

    Артикул Google ученый

  • 34

    Гертсен, Д., Бигельсен, Д., Понсе, Ф.А. и Трамонтана, Дж. С. Дислокации несоответствия в гетероэпитаксии GaAs на (001) Si. J. Cryst. Рост 106 , 157–165 (1990).

    ADS Статья Google ученый

  • 35

    Сан, X., Лю, Дж., Кимерлинг, Л. К. и Мишель, Дж. Прямозонная фотолюминесценция деформированного при растяжении Ge-на-Si n-типа. заявл. Phys. Lett. 95 , 011911 (2009).

    ADS Статья Google ученый

  • 36

    Рю, М.-Y., Harris, TR, Yeo, YK, Beeler, RT и Kouvetakis, J. Температурно-зависимая фотолюминесценция Ge / Si и Ge1– y Sn y / Si, что указывает на возможный переход запрещенной зоны с непрямого на прямой при более низком содержании Sn. заявл. Phys. Lett. 102 , 171908 (2013).

    ADS Статья Google ученый

  • 37

    Гейгер, Р. и др. Избыточные времена жизни носителей в слоях Ge на Si. заявл. Phys.Lett. 104 , 062106 (2014).

    ADS Статья Google ученый

  • 38

    Шакли, К. Л., Нэхори, Р. Э. и Лехени, Р. Ф. Оптическое усиление в полупроводниках. J. Lumin. 7 , 284–309 (1973).

    Артикул Google ученый

  • Влияние деформации растяжения на лазерное излучение GeSn с низким содержанием Sn

    Измерения ФЛ

    Спектр ФЛ при 15 К, полученный для слоя после выращивания, показан на рис.2а (синий спектр). В этом случае, поскольку слой GeSn эпитаксиально связан с подложкой, частично релаксированный слой толщиной 265 нм имеет остаточную деформацию сжатия -0,32%. Расчеты показывают непрямой полупроводник с основной шириной запрещенной зоны, равной E L-HH = 0,64 эВ. Прямая запрещенная зона находится при E Γ-HH = 0,69 эВ. Следовательно, разделение энергии между непрямой и прямой запрещенной зоной для этого полупроводника с непрямой запрещенной зоной составляет ΔE L- Γ = -40 мэВ.Расчетная дисперсия полос в направлении [001] свежевыращенного слоя показана на рис. 2b. Измеренный спектр ФЛ показывает как характерные черты прямых запрещенных переходов при 0,66 эВ, так и непрямых запрещенных переходов, связанных с широким вкладом выше 0,62 эВ. Это хорошо согласуется с приведенными выше расчетами.

    Рис. 2 Спектры ФЛ

    ( a ) выращенного слоя Ge 0,937 Sn 0,063 (синий) и напряженного микродиска диаметром 6 мкм (красный).Острые пики, обозначенные черными стрелками, исходят от лазерного луча накачки. (b ) Дисперсия полос сплава после выращивания в направлении [001] при 15 К. Самый нижний край полосы непрямого L-образного впадины обозначен пунктирными зелеными линиями.

    Сигнал излучения от только что выращенного слоя GeSn слабый и требует мощности накачки 30 мВт для обнаружения четких сигналов ФЛ с разумным отношением сигнал / шум. Поэтому используется расширенный детектор InGaAs с высокой чувствительностью. Тем не менее, этот слой использовался для обработки микродисков путем растяжения круговых мезаструктур (рис.1a) и нанесение на него стрессорного слоя SiN x (рис. 1b), вызывающего деформацию растяжения в отдельно стоящей части диска. ФЛ такого диска диаметром 6 мкм анализировалась в тех же условиях эксперимента. Обнаружено сильное красное смещение излучения и увеличение интенсивности сигнала по крайней мере на один порядок (красный спектр на рис. 2а).

    Зависимые от мощности спектры излучения дисков, деформированных при растяжении, измеренные при 80 K с помощью неохлаждаемого InGaAs-детектора, показаны на рис.3а. При меньших значениях мощности возбуждения видны максимумы мощности вблизи границы обнаружения при 0,48 эВ. Ниже этой области наблюдаются сильные линии поглощения воды в области максимумов ФЛ (вставка на рис. 3а), измеренные детектором InSb с энергией отсечки 0,26 эВ. Сигнал ФЛ относительно широкий, с начальной энергией 0,42 эВ, что, как предполагается, соответствует основной ширине запрещенной зоны E Γ-LH (красный спектр на вставке рис. 3a). Теоретические расчеты PL (см. Раздел о методах) были выполнены для извлечения деформации на микродиске.Предполагая, что деформация растяжения составляет 1,45%, основной переход E Γ-LH ожидается при 0,411 эВ. Заполнение полосы при инжекционной плотности носителей 5 × 10 17 см −3 и содержании Sn 6,3 ат.% Смещает максимум интенсивности ФЛ до 0,49 эВ (зеленая кривая на вставке рис. 3а). Здесь предполагалось однородное уширение с FWHM 25 мэВ (подробности в разделе о методах), которое учитывает флуктуации деформации. Результирующая дисперсия полос в направлении [001] показана на рис.3b. Это разумно согласуется с результатами ФЛ. Микродиск имеет прямолинейность ΔE L- Γ 94 мэВ, так что непрямые переходы запрещенной зоны ( E L-LH = 0,55 эВ) незначительны и не вносят значительного вклада. к измеренному спектру ФЛ. Тот же аргумент верен для переходов E Γ-HH , где расчеты показывают на десять порядков меньшую интенсивность по сравнению с переходами E Γ- LH из-за сильного расщепления HH и LH. ( E LH -E HH = 184 мэВ).Другой важной особенностью является сильное увеличение ФЛ в области около 0,55 эВ, вызывающее уширение спектра в сторону более высоких энергий, как это наблюдается для напряженных дисков при непрерывной накачке (рис. 3а). Эта особенность может быть объяснена переходами E Γ-LH , происходящими из областей с низкой деформацией растяжения вокруг столбика Ge 15,16,23 , соответствующих более широким запрещенным зонам. Кроме того, из-за нанесения SiN x поверх слоя становится заметным изгиб микродиска (см.Рис. 1б) и вызывает неоднородности деформации, что, в свою очередь, также может привести к значительному уширению спектра. Этот эффект можно подавить нанесением SiN x вокруг всего микродиска. Эффекты заполнения полосы также должны иметь место, но они играют незначительную роль в формировании более высокой энергетической области спектра ФЛ 24 . Таким образом, экспериментальное сравнение с сжатыми свежерастущими слоями GeSn показывает: (i) появление переходов E Γ- LH с; б) красное смещение спектра ФЛ; (iii) и сильное улучшение оптических характеристик, происходящее из-за деформации растяжения, вызванной стрессорным фактором SiN x .Введение растягивающей деформации в решетку GeSn ясно показывает переход от непрямого полупроводника к прямозонному полупроводнику, воспринимаемый как сильное усиление излучения ФЛ.

    Рис. 3

    ( a ) Спектры ФЛ диска диаметром 6 мкм, измеренные при различной мощности возбуждения. На вставке показано измерение при 40 мВт, выполненное с помощью охлаждаемого InSb-детектора LN 2 . ( b ) Дисперсия полос микродиска при деформации растяжения 1,45% при 80 К.

    Приведенные выше результаты побудили нас теоретически исследовать генерацию из деформированного растяжением GeSn с низким содержанием Sn в отличие от исследованных в настоящее время деформированных сжатием лазерных структур GeSn с высоким содержанием Sn.

    Расчеты зонной структуры

    Для того, чтобы рассмотреть возможность применения излучения света и сравнить свойства деформируемых при растяжении и сжатии сплавов GeSn, были выполнены расчеты зонной структуры и усиления. Описание теоретической основы можно найти в разделе «Метод».Во-первых, были определены значения двухосной деформации растяжения, необходимые для того, чтобы вызвать прямой переход запрещенной зоны для различного содержания Sn (рис. {\ ast} \) для деформированного GeSn.{\ ast} \), т.е. оба типа одинаково способны обеспечить усиление (хотя и для разных поляризаций света). Следует также отметить, что квадрат матричного элемента оптического перехода несколько больше для переходов Γ-LH для z-поляризованного света, чем для переходов Γ-HH для x- или y-поляризованного света (в 4/3 раза в центре зоны ), что происходит из их природы в 8-полосной k · p-модели. За исключением различных эффективных масс DOS, расщепление валентных зон HH и LH полос сильно влияет на усиление.Установлено, что это расщепление не зависит от содержания Sn. Приложение деформации растяжения сдвигает полосу LH выше полосы HH, вызывая значительное расщепление валентной полосы для значений деформации выше 0,5% (рис. 5c).

    Рис. 5

    Зависимые от деформации эффективные массы HH, LH ( a ) и Γ − электронной ( b ) плотности состояний (DOS). На вставке показаны эффективные массы отверстий для расширенного диапазона деформации. ( c ) Зависимость расщепления валентной зоны от деформации ΔE LH-HH .

    Материальный прирост

    На основании приведенных выше соображений ожидается, что деформация растяжения в GeSn с низким содержанием Sn, по крайней мере, приведет к такому же увеличению материала, что и в деформированных сжатием слоях GeSn с высоким содержанием Sn, где большая часть инжектированных отверстий занимает группа HH. Для разумного сравнения этих двух случаев сравнивались пиковые значения чистого материального прироста для нескольких содержаний Sn, сохраняя постоянную прямолинейность ΔE L-Γ .Это означает, что на усиление в основном влияет разное выравнивание валентной зоны при сохранении аналогичных условий для зоны проводимости. Поскольку ΔE L-Γ зависит как от деформации, так и от содержания Sn, карта, показанная на рис. 6a, показывает диапазон значений деформации и состав материала, требуемых для различных постоянных значений ΔE L-Γ . Более того, для каждых ΔE L-Γ электронная заселенность Γ-долины записывается для общей плотности инжектируемых носителей N ING из 1 × 10 19 см −3 и температура 300 К, что является разумной плотностью носителей заряда в режиме генерации 4,28,29 .Из-за небольшой эффективной массы Γ-долины по сравнению с L-долиной, необходима значительная прямолинейность для достижения достаточной Γ-заселенности.

    Рисунок 6

    ( a ) Достижимая прямолинейность ΔE L-Γ в зависимости от деформации и содержания Sn. ( b ) Максимальный чистый выигрыш вне плоскости г z, max для нескольких содержаний Sn, в зависимости от прямоты, при плотности носителей инжекции 1 × 10 19 см — 3 при 300 К.Наивысшие значения g z, max достигаются при значениях деформации 1,5%.

    Поскольку наибольший выигрыш в деформированном при растяжении GeSn достигается для z-поляризованного света, достижимое чистое усиление г z, max было исследовано для максимальной деформации растяжения 1,5% (рис. 6b). При сравнении усиления для различных содержаний Sn, но при постоянной прямоте (например, ΔE L-Γ = 50 мэВ), очевидно, что чистый выигрыш является наибольшим для деформированных при растяжении сплавов с низким содержанием Sn.Для сравнения, коэффициент усиления при 20 К сравнивается с теоретическими и экспериментальными значениями для деформированного сжатием материала Ge 0,875 Sn 0,125 , использованного ранее в [4]. 3 для демонстрации лазера (фиолетовые / розовые кружки на вставке к рис. 4b). Значения усиления, рассчитанные для GeSn с низким содержанием Sn, значительно выше, чем для Ge 0,875 Sn 0,125 . Следует отметить, что теоретические и экспериментальные значения усиления в Ge 0,875 Sn 0.125 существенно различаются, что может быть связано с пренебрежением оже-рекомбинацией в расчетах, а также с влиянием дефектов в GeSn с высоким содержанием Sn. В этом отношении мы склонны полагать, что для постоянной прямолинейности сплавы с низким содержанием Sn, деформированные при растяжении, предпочтительны для достижения высоких значений усиления, поскольку плотность кристаллических дефектов сильно снижается в сплавах с низким содержанием Sn. Штамм, например, 1,5% в Ge 0,94 Sn 0,06 — что сравнимо с экспериментально достигнутой деформацией — гарантирует высокую прямолинейность при разумной заселенности зоны проводимости электронами и предлагает значения усиления более 7000 см -1 .Если расширить эти результаты до даже более низкого содержания Sn или его отсутствия, то самое высокое значение усиления при постоянной прямоте может быть достигнуто для Ge, но прямолинейность в 50 мэВ переводится в двухосную деформацию 2,3%, что экспериментально никогда не было продемонстрировано для Ge и будет очень сложно добиться.

    Пороги температуры генерации и тока инжекции

    В последние несколько лет максимальная температура генерации T max сплавов GeSn — при которой усиление становится равным нулю — постоянно увеличивалась с увеличением содержания Sn и, следовательно, T max увеличился с прямотой 3,7,8,30 .В нашем подходе прямолинейность увеличивается путем введения деформации растяжения. Влияние на T max можно увидеть на рис. 7. Мы рассчитали T max для различных плотностей носителя впрыска N INI и значений деформации (0,25% ≤ ε || ≤ 1,50%) при фиксированном содержании Sn 6 ат.%. Принимая во внимание цель генерации при комнатной температуре (пунктирная линия), деформация растяжения обеспечивает генерацию при комнатной температуре при низкой плотности инжектируемых носителей заряда.При деформации растяжения, например, 1,50% при Н IN из ~ 1 × 10 18 см −3 необходимо для достижения генерации при 300 К. Увеличение N IN увеличивает потери усиления из-за FCA, но при в то же время значительно увеличивается материальный прирост, что сдвигает T max к более высоким значениям. Поскольку другие возможные механизмы потерь, такие как оже-рекомбинация, не принимаются во внимание в этих расчетах, экспериментально необходимые значения, скорее всего, будут смещены в сторону более высоких плотностей инжектируемых носителей, чем предсказано здесь.

    Рисунок 7

    Температурные пороги, зависящие от плотности носителя впрыска T max Ge 0,94 Sn 0,06 для различных значений деформации и соответствующих прямолинейностей.

    В дополнение к приведенным выше результатам мы рассчитали пороговые плотности тока, используя структуру, представленную в исх. 31 , где пороговая плотность впрыскиваемых носителей N In, th была определена при значениях чистого прироста материала около 0 см -1 .Время жизни τ рад , τ SRH и τ августа , выбранных для радиационных процессов, процессов Шокли-Рида-Холла и Оже, обсуждаются в разделе «Метод».

    Чтобы иметь возможность сравнивать результаты для различного содержания Sn, сначала прямолинейность была установлена ​​на 30 мэВ. В этом случае пороговая плотность тока увеличивается с содержанием Sn, достигающим значений до 16 кА / см² для τ SRH длительностью 3 нс, как показано на рис.8а. Увеличение τ SRH приводит к значениям, аналогичным заявленным значениям для Ge в исх. 31 (0,015 кА / см² при ε || = 2%). Соответствующие пороги плотности носителей не зависят от τ Aug и τ SRH и находятся в диапазоне 1 × 10 18 см −3 , как показано на рис. 7b. Объяснение такого поведения заключается в изменении разделения HH / LH ΔE LH-HH .Увеличение содержания Sn при фиксированной прямолинейности достижимо только тогда, когда деформация изменяется от растяжения (соответствующего низкому содержанию Sn) до сжатия (соответствующего высокому содержанию Sn). Это увеличивает влияние состояний HH на усиление, которое теперь становится более равномерно распределенным между x- и z-поляризациями, и поэтому для достижения усиления требуется более высокая накачка. Это также означает, что для сохранения постоянства расщепления валентной зоны HH и LH и увеличения содержания Sn, прямолинейность будет преимущественно увеличиваться и играет основную роль, влияющую на усиление.Можно ожидать уменьшения J th , как показано на рис. 8c, для постоянной деформации 0,5%. В этом контексте при содержании Sn 6 ат.% Можно достичь J th ниже 10 кА / см² для поддержания положительного чистого выигрыша.

    Рисунок 8 Плотность порогового тока, зависящая от содержания Sn, для ( a ) постоянной прямолинейности 30 мэВ и ( c ) постоянной двухосной деформации 0,5% для различных значений времени жизни по Шокли-Риду-Холлу τ SRH .( b ) Соответствующие пороговые плотности несущих для ( a ) и ( c ). В качестве ориентира для данных Ge из исх. 31 было взято.

    Этот сайт использует файлы cookie для повышения производительности. Если ваш браузер не принимает файлы cookie, вы не можете просматривать этот сайт.


    Настройка вашего браузера для приема файлов cookie

    Существует множество причин, по которым cookie не может быть установлен правильно. Ниже приведены наиболее частые причины:

    • В вашем браузере отключены файлы cookie.Вам необходимо сбросить настройки своего браузера, чтобы он принимал файлы cookie, или чтобы спросить вас, хотите ли вы принимать файлы cookie.
    • Ваш браузер спрашивает вас, хотите ли вы принимать файлы cookie, и вы отказались. Чтобы принять файлы cookie с этого сайта, нажмите кнопку «Назад» и примите файлы cookie.
    • Ваш браузер не поддерживает файлы cookie. Если вы подозреваете это, попробуйте другой браузер.
    • Дата на вашем компьютере в прошлом. Если часы вашего компьютера показывают дату до 1 января 1970 г., браузер автоматически забудет файл cookie.Чтобы исправить это, установите правильное время и дату на своем компьютере.
    • Вы установили приложение, которое отслеживает или блокирует установку файлов cookie. Вы должны отключить приложение при входе в систему или проконсультироваться с системным администратором.

    Почему этому сайту требуются файлы cookie?

    Этот сайт использует файлы cookie для повышения производительности, запоминая, что вы вошли в систему, когда переходите со страницы на страницу. Чтобы предоставить доступ без файлов cookie потребует, чтобы сайт создавал новый сеанс для каждой посещаемой страницы, что замедляет работу системы до неприемлемого уровня.


    Что сохраняется в файле cookie?

    Этот сайт не хранит ничего, кроме автоматически сгенерированного идентификатора сеанса в cookie; никакая другая информация не фиксируется.

    Как правило, в файлах cookie может храниться только информация, которую вы предоставляете, или выбор, который вы делаете при посещении веб-сайта. Например, сайт не может определить ваше имя электронной почты, пока вы не введете его. Разрешение веб-сайту создавать файлы cookie не дает этому или любому другому сайту доступа к остальной части вашего компьютера, и только сайт, который создал файл cookie, может его прочитать.

    GeSn на изоляторах (GeSnOI) для интегрированной фотоники среднего инфракрасного диапазона

    Аннотация

    В последние годы материалы и устройства Ge и Ge1-xSnx достигли быстрого прогресса в интегрированной фотонике. Однако обычная гетероэпитаксия активных фотонных устройств ставит под угрозу область Si для КМОП-электроники, ограничивая масштаб интеграции. Кроме того, невозможно эпитаксиально выращивать GeSn на аморфных и / или гибких подложках в направлении трехмерной фотонной интеграции в режиме среднего инфракрасного диапазона (MIR).Здесь мы представляем низкотемпературную кристаллизацию прямой запрещенной зоны с высокой кристалличностью Ge1-xSnx (0,08 100 раз больше, чем у прямого щелевого перехода в Ge, что подтверждает наличие непрямой запрещенной зоны в прямую. переход в GeSn при 9 ат. Состав Sn. Более того, прототип фотодиода p-GeSn / n-Si от кристаллизации a-GeSn обеспечивает чувствительность 100 мА / Вт при = 2050 нм и T = 300 K, что приближается к уровню некоторых коммерческих детекторов PbS. Устройство также демонстрирует фотоэлектрические характеристики и низкую плотность темнового тока 1 мА / см2 при обратном смещении -1 В, что сравнимо с эпитаксиальными фотодиодами Ge / Si.Эти результаты указывают на то, что кристаллизация GeSnOI предлагает многообещающее решение для активных устройств для интеграции 3D MIR-фотонов и / или MIR-фотоники на гибких подложках.

    Изготовление высококачественных микродисков GeSn с ослабленной деформацией путем интеграции методов селективного эпитаксиального роста и селективного влажного травления

  • 1.

    Chibane Y, Ferhat M (2010) Электронная структура Sn x Ge 1 − x сплавов для малые составы Sn: необычные структурные и электронные свойства.J Appl Phys 107: 053512

    Статья Google ученый

  • 2.

    Low KL, Yang Y, Han G, Fan W, Yeo Y-C (2012) Электронная зонная структура и параметры эффективной массы сплавов Ge 1-x Sn x . J Appl Phys 112: 103715

    Статья Google ученый

  • 3.

    Yin W-J, Gong X-G, Wei S-H (2008) Происхождение необычно большого изгиба запрещенной зоны и нарушение правила распределения краев зоны в сплавах Sn x Ge 1 − x .Phys Rev B 78: 161203

    Статья Google ученый

  • 4.

    Gupta S, Magyari-Köpe B, Nishi Y, Saraswat KC (2013) Достижение прямой запрещенной зоны в германии за счет интеграции легирования Sn и внешней деформации. J Appl Phys 113: 073707

    Статья Google ученый

  • 5.

    Polak MP, Scharoch P, Kudrawiec R (2017) Электронная зонная структура Ge 1 − x Sn x во всем диапазоне составов: режимы непрямых, прямых и инвертированных зазоров, смещения зон, и эффект Бурштейна – Мосса.J Phys D Appl Phys 50: 195103

    Статья Google ученый

  • 6.

    Mathews J, Beeler RT, Tolle J, Xu C, Roucka R, Kouvetakis J, Menéndez J (2010) Прямозонная фотолюминесценция с перестраиваемой длиной волны излучения в сплавах Ge 1 − y Sn y на кремний. Appl Phys Lett 97: 221912

    Статья Google ученый

  • 7.

    Chen R, Lin H, Huo Y, Hitzman C, Kamins TI, Harris JS (2011) Повышенная фотолюминесценция сплавов с пониженной деформацией и высоким содержанием Sn Ge 1 − x Sn x сплавов, выращенных молекулярно-лучевая эпитаксия.Appl Phys Lett 99: 181125

    Статья Google ученый

  • 8.

    Grzybowski G, Beeler RT, Jiang L, Smith DJ, Kouvetakis J, Menéndez J (2012) Следующее поколение сплавов Ge 1 − y Sn y (y = 0,01-0,09), выращенных на Si (100) через Ge 3 H 8 и SnD 4 : кинетика реакции и регулируемое излучение. Appl Phys Lett 101: 072105

    Статья Google ученый

  • 9.

    Olesinski RW, Abbaschian GJ (1984) Система Ge-Sn (германий-олово). Диаграмма фазы сплава быка 5: 265–271

    CAS Статья Google ученый

  • 10.

    Fleurial JP (1990) Расчет тройной фазовой диаграммы Si-Ge-Metal. J Electrochem Soc 137: 2928

    CAS Статья Google ученый

  • 11.

    Wang W, Zhou Q, Dong Y, Tok ES, Yeo Y-C (2015) Критическая толщина для релаксации деформации Ge 1 − x Sn x (x ≤ 0.17), выращенные методом молекулярно-лучевой эпитаксии на Ge (001). Appl Phys Lett 106: 232106

    Статья Google ученый

  • 12.

    Hickey R, Fernando N, Zollner S, Hart J, Hazbun R, Kolodzey J (2017) Свойства псевдоморфного и релаксированного германия 1 − x олово x сплавов (x <0,185), выращенных методом MBE . Journal of Vacuum Science & Technology B, Нанотехнологии и микроэлектроника: материалы, обработка, измерения и явления 35: 021205

    Статья Google ученый

  • 13.

    Zhang ZP, Song YX, Zhu ZYS, Han Y, Chen QM, Li YY, Zhang LY, Wang SM (2017) Структурные свойства тонких пленок GeSn, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии. AIP Adv 7: 045211

    Статья Google ученый

  • 14.

    Конг Х, Ян Ф., Сюэ Ц., Ю К., Чжоу Л., Ван Н., Ченг Б., Ван К. (2018) Источник света SWIR с многослойной гетероструктурой графен-GeSn с квантовой ямой. Маленький 14: 1704414

    Артикул Google ученый

  • 15.

    Huang B-J, Chang C-Y, Hsieh Y-D, Soref RA, Sun G, Cheng H-H, Chang G-E (2019) Поверхностные излучатели GeSn с вертикальной полостью и электрическим инжектированием на платформах кремний-на-изоляторе. ACS Photonics 6: 1931–1938

    CAS Статья Google ученый

  • 16.

    Chen R, Gupta S, Huang YC, Huo Y, Rudy CW, Sanchez E, Kim Y, Kamins T.I, Saraswat KC, Harris JS (2014) Демонстрация микродиска с квантовыми ямами Ge / GeSn / Ge резонатор на кремнии: создание высококачественных материалов Ge (Sn) для микро- и нанофотоники.Nano Lett 14: 37–43

    CAS Статья Google ученый

  • 17.

    Виртс С., Гейгер Р., фон ден Дриш Н., Мюсслер Г., Стойка Т, Мантл С., Иконик З, Луйсберг М., Чиусси С., Хартманн Дж. М., Зигг Х, Фаист Дж, Бука Д., Грюцмахер Д. ( 2015) Генерация в прямозонном сплаве GeSn, выращенном на Si. Nat Photonics 9: 88–92

    CAS Статья Google ученый

  • 18.

    Wallace PM, Senaratne CL, Xu C, Sims PE, Kouvetakis J, Menéndez J (2017) Молекулярная эпитаксия псевдоморфного Ge 1 − y Sn y (y = 0.06–0.17) структуры и устройства на Si / Ge при сверхнизких температурах посредством реакций Ge 4 H 10 и SnD 4 . Semicond Sci Technol 32: 025003

    Статья Google ученый

  • 19.

    Aubin J, Hartmann JM, Gassenq A, Rouviere JL, Robin E, Delaye V, Cooper D, Mollard N, Reboud V, Calvo V (2017) Рост и структурные свойства ступенчато-дифференцированного, высокого содержания Sn Слои GeSn на Ge. Semicond Sci Technol 32: 094006

    Статья Google ученый

  • 20.

    Zhou Y, Dou W, Wei D, Ojo S, Tran H, Ghetmiri SA, Liu J, Sun G, Soref R, Margetis J, Tolle J, Li B, Chen Z, Mortazavi M, Yu SQ (2019) с оптической накачкой Лазеры на GeSn, работающие при 270 К, с широкополосными волноводными структурами на Si. ACS Photonics 6: 1434–1441

    CAS Статья Google ученый

  • 21.

    Lieten RR, Seo JW, Decoster S, Vantomme A, Peters S, Bustillo KC, Haller EE, Menghini M, Locquet JP (2013) Деформированный при растяжении GeSn на Si методом твердофазной эпитаксии.Appl Phys Lett 102: 052106

    Статья Google ученый

  • 22.

    Sadoh T, Ooato A, Park JH, Miyao M (2016) GeSn с высокой концентрацией Sn (~ 8%) при низкотемпературной (~ 150 ° C) твердофазной эпитаксии a-GeSn / c -Ge. Тонкие твердые пленки 602: 20–23

    CAS Статья Google ученый

  • 23.

    Тонких А.А., Эйзеншмидт С., Талалаев В.Г., Захаров Н.Д., Шиллинг Дж., Шмидт Г., Вернер П. (2013) Псевдоморфные квантовые ямы GeSn / Ge (001): исследование непрямого изгиба запрещенной зоны.Appl Phys Lett 103: 032106

    Статья Google ученый

  • 24.

    Gupta S, Chen R, Huang YC, Kim Y, Sanchez E, Harris JS, Saraswat KC (2013) Высокоселективное сухое травление германия поверх германия-олова (Ge 1-x Sn x ): новый способ изготовления наноструктур Ge 1-x Sn x . Nano Lett 13: 3783–3790

    CAS Статья Google ученый

  • 25.

    Штанге Д., Виртс С., Гейгер Р., Шульте-Браукс С., Марцбан Б., фон ден Дриш Н., Мюсслер Г., Забель Т., Стойка Т., Хартманн Дж. М., Мантл С., Иконик З, Грюцмахер Д., Зигг Н., Витценс Дж. Buca D (2016) Микродисковые лазеры GeSn на Si с оптической накачкой. ACS Photonics 3: 1279–1285

    CAS Статья Google ученый

  • 26.

    Fenrich CS, Chen X, Chen R, Huang YC, Chung H, Kao MY, Huo Y, Kamins TI, Harris JS (2016) Деформированный псевдоморфный Ge 1 – x Sn x множественная квантовая яма микродиск с использованием стрессорного слоя SiN и .ACS Photonics 3: 2231–2236

    CAS Статья Google ученый

  • 27.

    Ребуд В., Гассенк А., Паук Н., Обен Дж., Милорд Л., Тайский К.М., Бертран М., Гиллой К., Рушон Д., Ротман Дж., Забель Т., Арман Пилон Ф., Сигг Х., Челноков А., Хартманн JM, Calvo V (2017) Микродиски GeSn с оптической накачкой и генерацией 16% Sn при 3,1 мкм до 180 К. Appl Phys Lett 111: 092101

    Article Google ученый

  • 28.( 2018) Гетероструктура GeSn / SiGeSn и лазеры на квантовых ямах. ACS Photonics 5: 4628–4636

    CAS Статья Google ученый

  • 29.

    Хан И, Сон И, Чен Х, Чжан З, Лю Дж, Ли И, Чжу З, Хуанг Х, Шао Дж, Ван С. (2018) Аномальная деформация в суспендированных микроструктурах GeSn.Materials Research Express 5: 035901

    Статья Google ученый

  • 30.

    Han Y, Li Y, Song Y, Chi C, Zhang Z, Liu J, Zhu Z, Wang S (2018) Сравнительное исследование селективного сухого и мокрого травления германия – олова (Ge 1− x Sn x ) на германии. Semicond Sci Technol 33: 085011

    Статья Google ученый

  • 31.

    Ponath P, Posadas A, Schmidt M, Kelleher AM, White M, O’Connell D, Hurley PK, Duffy R, Demkov AA (2018) Монолитная интеграция узорчатых тонких пленок BaTiO 3 на пластинах Ge .J Vac Sci Technol B 36: 031206

    Артикул Google ученый

  • 32.

    Liu T, Wang L, Zhu G, Hu X, Dong Z, Zhong Z, Jia Q, Yang X, Jiang Z (2018) Дислокационная фотолюминесценция пленок GeSn, выращенных на подложках Ge (001) с помощью молекулярно-лучевая эпитаксия. Semicond Sci Technol 33: 125022

    Статья Google ученый

  • 33.

    Cheng R, Wang W, Gong X, Sun L, Guo P, Hu H, Shen Z, Han G, Yeo Y-C (2013) Расслабленные и деформированные структуры германия-олова с рисунком: исследование комбинационного рассеяния.ECS Journal of Solid State Science and Technology 2: P138 – P145

    CAS Статья Google ученый

  • 34.

    Suess MJ, Minamisawa RA, Geiger R, Bourdelle KK, Sigg H, Spolenak R (2014) Рамановский анализ сильно напряженных Si-наномостиков в зависимости от мощности. Nano Lett 14: 1249–1254

    CAS Статья Google ученый

  • 35.

    D’Costa VR, Tolle J, Roucka R, Poweleit CD, Kouvetakis J, Menéndez J (2007) Рамановское рассеяние в сплавах Ge 1 − y Sn y .Solid State Commun 144: 240–244

    Артикул Google ученый

  • 36.

    Han D, Ye H, Song Y, Zhu Z, Yang Y, Yu Z, Liu Y, Wang S, Di Z (2019) Анализ комбинационного рассеяния света от наклонной гетероструктуры с двойной нанопроволокой GeSn / Ge на Ge (1 1 1) субстрат. Appl Surf Sci 463: 581–586

    CAS Статья Google ученый

  • 37.

    Lin H, Chen R, Huo Y, Kamins TI, Harris JS (2011) Рамановское исследование напряженных сплавов Ge 1 − x Sn x .Appl Phys Lett 98: 261917

    Статья Google ученый

  • 38.

    Rainko D, Ikonic Z, Elbaz A, von den Driesch N, Stange D, Herth E, Boucaud P, El Kurdi M, Grutzmacher D, Buca D (2019) Влияние деформации растяжения на GeSn с низким содержанием Sn лазерная. Sci Rep 9: 259

    Статья Google ученый

  • % PDF-1.7 % 1 0 obj >>> / Pages 3 0 R / StructTreeRoot 6 0 R / Тип / Каталог >> эндобдж 5 0 obj > / Шрифт >>> / Поля [] >> эндобдж 2 0 obj > поток 2018-10-11T08: 52: 07-04: 002018-10-11T08: 52: 07-04: 002018-10-11T08: 52: 07-04: 00 ‘Сертифицировано IEEE PDFeXpress 14.06.2018 5: 32:44 AM’application / pdfuuid: 9a493e0a-166f-4680-b804-fa23c29ed9dbuuid: 77ef7cd0-daee-4b4b-ad9c-b30cd7fc6a56Foxit Reader PDF Printer Version 8.0,2.0718 конечный поток эндобдж 3 0 obj > эндобдж 6 0 obj > эндобдж 14 0 объект > эндобдж 12 0 объект > эндобдж 13 0 объект > эндобдж 24 0 объект > эндобдж 25 0 объект > эндобдж 26 0 объект > эндобдж 27 0 объект > эндобдж 28 0 объект > эндобдж 29 0 объект > эндобдж 30 0 объект > эндобдж 43 0 объект > эндобдж 41 0 объект > эндобдж 42 0 объект > эндобдж 39 0 объект > эндобдж 40 0 объект > эндобдж 37 0 объект > эндобдж 38 0 объект > эндобдж 36 0 объект > эндобдж 34 0 объект > эндобдж 35 0 объект > эндобдж 31 0 объект > эндобдж 32 0 объект > эндобдж 33 0 объект > эндобдж 15 0 объект > эндобдж 16 0 объект > эндобдж 17 0 объект > эндобдж 18 0 объект > эндобдж 19 0 объект > эндобдж 20 0 объект > эндобдж 21 0 объект > эндобдж 22 0 объект > эндобдж 23 0 объект > эндобдж 70 0 объект > эндобдж 68 0 объект > эндобдж 69 0 объект > эндобдж 62 0 объект > эндобдж 63 0 объект > эндобдж 64 0 объект > эндобдж 65 0 объект > эндобдж 66 0 объект > эндобдж 67 0 объект > эндобдж 61 0 объект > эндобдж 57 0 объект > эндобдж 58 0 объект > эндобдж 59 0 объект > эндобдж 60 0 объект > эндобдж 50 0 объект > эндобдж 51 0 объект > эндобдж 52 0 объект > эндобдж 53 0 объект > эндобдж 54 0 объект > эндобдж 55 0 объект > эндобдж 56 0 объект > эндобдж 46 0 объект > эндобдж 47 0 объект > эндобдж 48 0 объект > эндобдж 49 0 объект > эндобдж 45 0 объект > эндобдж 44 0 объект > эндобдж 10 0 obj > / Font> / ProcSet [/ PDF / Text] / XObject >>> / Rotate 0 / Type / Page >> эндобдж 11 0 объект > / Font> / ProcSet [/ PDF / Text / ImageC] / XObject >>> / Rotate 0 / Type / Page >> эндобдж 87 0 объект > поток HWmo_ / Hi | _r] (p ~ HB ص -9 N |} g! EÐZyy 晙 ‘~ _ | rчE NE]] t.zZX> _s2aJ 61.

    Отклонение постоянной решетки от закона Вегарда в сплавах GeSn

    [1] Roucka R, Mathews J, Beeler R T, Toll J, Kouvetakis J, Menendez J 2011 Appl. Phys. Lett. 98 061109
    [2] Mathews J, Roucka R, Xie J Q, Yu S Q, Menendez J, Kouvetakis J 2009 Appl. Phys. Lett. 95 133506
    [3] Su S J, Cheng B W, Xue C L, Wang W, Cao Q, Xue H Y, Hu W X, Zhang G Z, Zuo Y H, Wang Q M 2011 Opt.Экспресс 19 6400
    [4] Han GQ, Su SJ, Zhan CL, Zhou Q, Yang Y, Wang LX, Guo PF, Wang W, Wong CP, Shen ZX, Cheng BW, Yeo YC 2011 IEEE International Electron Devices Meeting Вашингтон, округ Колумбия, США, 5 декабря -7, 2011 с402
    [5] He G, Atwater H A 1996 Appl.Phys. Lett. 68 664
    [6] Gurdal O, Desjardins P, Carlsson J R A, Taylor N, Radamson H H, Sundgren J E, Greene J E 1998 J. Appl. Phys. 83 162
    [7] Su S J, Wang W, Cheng B W, Zhang G Z, Hu W X, Xue C L, Zuo Y H, Wang Q M 2011 J. Cryst. Рост 317 43
    [8] Su S J, Wang W, Zhang G Z, Hu W X, Bai A Q, Xue C. L, Zuo Y H, Cheng B W, Wang Q M 2011 Acta Phys.Грех. 60 028101 (на китайском языке) [苏少坚, 汪 巍, 张广泽, 胡 炜 玄, 白安琪, 薛 春来, 左 玉华, 成 步 文, 王启明 2011 报 60 028101]
    [9] Wang W, Su S J, Zheng J, Zhang G Z, Zuo Y H, Cheng B W, Wang Q M 2011 Chin. Phys. В 20 068103
    [10] Bauer M, Taraci J, Tolle J, Chizmeshya A V G, Zollner S, Smith D J, Menendez J, Hu C. W, Kouvetakis J 2002 Appl.Phys. Lett. 81 2992
    [11] Shen J H, Zi J, Xie X D, Jiang P 1997 Phys. Ред. B 56 12084
    [12] Олдрич Д. Б., Неманич Р. Дж., Сэйерс Д. Е. 1994 Phys. Ред. B 50 15026
    [13] Якоуби А., Бельди Л., Бухафс Б., Ферхат М. 2007 Phys.В 388 167
    [14] Chizmeshya A V G, Bauer M R, Kouvetakis J 2003 Chem. Матер. 15 2511
    [15] Chibane Y, Bouhafs B, Ferhat M 2003 Phys. Стат. Sol. (б) 240 116
    [16] Chroneos A, Jiang C, Grimes R W., Schwingenschlogl U, Bracht H 2009 Appl.Phys. Lett. 94 252104
    [17] Chibane Y, Ferhat M 2010 J. Appl. Phys. 107 053512
    [18] Beeler R, Roucka R, Chizmeshya A V G, Kouvetakis J, Menendez J 2011 Phys. Ред. B 84 035204
    [19] Cheng BW, Xue HY, Hu D, Han GQ, Zeng YG, Bai AQ, Xue CL, Luo LP, Zuo YH, Wang QM 2008 5-я Международная конференция IEEE по фотонике группы IV Сорренто, Италия, 17-19 сентября 2008 г.

    Добавить комментарий

    Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *

    © 2011-2021. Mkada.ru | Cтроительная доска бесплатных объявлений.